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金属-氧化物-半导体场效应晶体管电路设计2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

金属-氧化物-半导体场效应晶体管电路设计
  • 姚尔久译 著
  • 出版社： 北京：科学出版社
  • ISBN：
  • 出版时间：1971
  • 标注页数：151页
  • 文件大小：4MB
  • 文件页数：156页
  • 主题词：

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图书目录

目录1

符号表1

第一章　MOS场效应晶体管入门1

1·1　MOS的工作原理3

1·2　特性曲线4

1·3　数字电路6

1·4　速度9

1·5　互补结构11

1·6　MOS工艺展望12

第二章　工作原理17

2·1　定性分析18

2·2　定量分析22

2·3　阈电压的附加考虑36

2·4　MOS方程和器件符号的总结47

第三章　MOS特性及其与方程的相互关系52

3·1　饱和区52

3·2　三极管区66

3·3　迁移率70

第四章　瞬态响应75

4·1 截止频率75

4·2　MOS的开关速度77

第五章　MOS集成电路基本概念95

5·1　作负载电阻用的MOS96

5·2　MOS倒相器103

5·3　基本的积木式单元116

5·4　冗余件（对MOS电路是很理想的）121

5·5　用电容存储原理来简化电路122

5·6　主从触发器126

5·7　一种实际集成电路的介绍128

第六章　模拟电路135

6·1　共源放大器135

6·2　源跟随器137

6·3　共栅放大器（栅接地）140

6·4　各种放大器组态141

附录150

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